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1653nm DFB 버터플라이 레이저 다이오드 제조사

우리 공장은 파이버 레이저 모듈, 초고속 레이저 모듈, 고출력 다이오드 레이저를 제공합니다. 우리 회사는 외국 공정 기술을 채택하고 고급 생산 및 테스트 장비를 보유하고 있으며 장치 결합 패키지에서 모듈 설계는 최고의 기술 및 비용 관리 이점뿐만 아니라 완벽한 품질 보증 시스템을 갖추고 있으며 고객에게 고성능을 제공하도록 보장할 수 있습니다. , 신뢰할 수 있는 품질의 광전자 제품.

인기 제품

975nm 976nm 980nm 30W 2핀 파이버 결합 다이오드 레이저
975nm 976nm 980nm 30W 2-PIN 광섬유 결합 다이오드 레이저는 단일 이미 터 레이저 다이오드, 고휘도 광섬유 결합 및 단순화 된 패키징을 기반으로 구축되어 최고의 밝기와 최고의 출력을 제공합니다.
파장 안정화 1470nm DFB 버터플라이 레이저 다이오드
파장 안정화 1470nm DFB 버터플라이 레이저 다이오드, 버터플라이 패키지, 내장 TEC 쿨러, 높은 안정성, 긴 수명, SM 파이버 또는 PM 파이버와 결합.
975nm 976nm 980nm 300W 파이버 결합 레이저 다이오드
975nm 976nm 980nm 300W 파이버 결합 레이저 다이오드는 많은 용접 응용 분야, 브레이징, 클래딩, 수리 용접, 경화 및 기타 표면 처리에서 산업 표준 레이저 다이오드입니다. 파이버 레이저 펌핑용 상용 제품이기도 합니다.
850nm 10mW SLD 광대역 광원
850nm 10mW SLD 광대역 광원은 반도체 초방사 다이오드 기술을 채택하여 광대역 스펙트럼을 출력함과 동시에 더 높은 출력을 제공합니다. 작동 파장은 840nm 1310nm 1550nm 및 기타 파장에서 선택할 수 있으며 광섬유 감지와 같은 응용 분야에 적합합니다. 우리는 광원 상태의 모니터링을 용이하게 하기 위해 통신 인터페이스 및 호스트 컴퓨터 소프트웨어를 제공할 수 있습니다.
1mm InGaAs/InP PIN 포토다이오드 칩
1mm InGaAs/InP PIN 포토다이오드 칩은 900nm ~ 1700nm에서 탁월한 응답을 제공하며, 1mm InGaAs/InP PIN 포토다이오드 칩은 고대역폭 1310nm 및 1550nm 광 네트워킹 애플리케이션에 이상적입니다. 장치 시리즈는 고성능 및 저감도 수신기 설계를 위해 높은 응답성, 낮은 암전류 및 고대역폭을 제공합니다. 이 장치는 광 수신기, 트랜스폰더, 광 전송 모듈 및 조합 PIN 포토 다이오드(트랜스임피던스 증폭기) 제조업체에 이상적입니다.
1570nm 동축 DFB 레이저 다이오드
1570nm 동축 DFB 레이저 다이오드는 단일 모드 광섬유와 결합된 광섬유입니다. CW 출력 전력은 파장에 따라 달라지며 2mW에서 4mW 사이입니다. 분산 피드백 캐비티는 0.32nm에 불과한 선폭을 생성하며, 이 레이저 다이오드에는 모니터 포토다이오드와 광학 아이솔레이터가 내장되어 있습니다. SMF 28 광 출력 광섬유는 SC/PC, FC/PC, SC/APC 또는 FC/APC 커넥터로 종단될 수 있습니다.

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일반적으로 사용되는 주류 레이저의 소개 및 응용
최초의 고체 펄스 루비 레이저가 출현한 이후 레이저의 개발은 매우 빠르게 진행되었으며, 다양한 작업 재료와 작동 모드를 갖춘 레이저가 계속해서 등장해 왔습니다. 레이저는 다양한 방식으로 분류됩니다.
포토다이오드의 응용
Boxoptronics는 다양한 활성 영역 크기와 패키지로 광다이오드(PD)를 다양하게 제공합니다. ¼ˆ중국 광다이오드)
근적외선 분광계
근적외선 스펙트럼은 분자 진동의 비공명 특성으로 인해 분자 진동이 바닥 상태에서 높은 에너지 수준으로 전환될 때 주로 생성됩니다. 기록되는 것은 주로 수소 함유 그룹 X-H(X=C, N, O)의 진동의 주파수 배가 및 결합 주파수 흡수입니다. . 서로 다른 그룹(예: 메틸, 메틸렌, 벤젠 고리 등) 또는 동일한 그룹은 서로 다른 화학 환경에서 근적외선 흡수 파장과 강도에 명백한 차이가 있습니다.
단파장 및 저전력 레이저 다이오드