제품

주요 제품

포토다이오드

Boxoptronics는 다양한 활성 영역 크기와 패키지를 가진 광다이오드(PD)를 다양하게 제공합니다. 개별 PIN 접합 광다이오드에는 인듐 갈륨 비소(InGaAs) 및 실리콘(Si) 재료가 포함됩니다. N-on-P 구조를 기반으로 하는 것도 사용할 수 있습니다. 900~1700nm의 고감도를 갖는 InGaAs 포토다이오드와 400~1100nm의 고감도를 갖는 실리콘(Si) 포토다이오드.

View as

0.3mm 활성 영역 InGaAs 포토다이오드
근적외선 감지를 위한 0.3mm 활성 영역 InGaAs 포토다이오드. 특징은 고속, 고감도, 저잡음 및 1100nm에서 1650nm 범위의 스펙트럼 응답을 포함합니다. 광통신, 분석 및 측정을 포함한 광범위한 응용 분야에 적합합니다.
더 읽어보기 문의 보내기
1mm 활성 영역 InGaAs PIN 포토다이오드
근적외선 감지를 위한 1mm 활성 영역 InGaAs PIN 포토다이오드. 특징은 고속, 고감도, 저잡음 및 1100nm에서 1650nm 범위의 스펙트럼 응답을 포함합니다. 광통신, 분석 및 측정을 포함한 광범위한 응용 분야에 적합합니다.
더 읽어보기 문의 보내기
2mm 활성 영역 TO-CAN InGaAs PIN 포토다이오드
2mm 활성 영역 TO-CAN InGaAs PIN 포토다이오드, 적외선 계측 및 감지 애플리케이션에 사용하기 위한 고감도 포토다이오드. 800 nm ~ 1700 nm 영역에서 높은 스펙트럼 응답.
더 읽어보기 문의 보내기
300um InGaAs 포토다이오드 칩
300um InGaAs 포토다이오드 칩은 900nm ~ 1700nm에서 탁월한 응답을 제공하여 통신 및 근적외선 감지에 적합합니다. 포토다이오드는 고대역폭 및 능동 정렬 애플리케이션에 적합합니다.
더 읽어보기 문의 보내기
500um InGaAs PIN 포토다이오드 칩
500um InGaAs PIN 포토다이오드 칩은 900nm ~ 1700nm에서 탁월한 응답을 제공하여 통신 및 근적외선 감지에 적합합니다. 포토다이오드는 고대역폭 및 능동 정렬 애플리케이션에 적합합니다.
더 읽어보기 문의 보내기
1mm InGaAs/InP PIN 포토다이오드 칩
1mm InGaAs/InP PIN 포토다이오드 칩은 900nm ~ 1700nm에서 탁월한 응답을 제공하며, 1mm InGaAs/InP PIN 포토다이오드 칩은 고대역폭 1310nm 및 1550nm 광 네트워킹 애플리케이션에 이상적입니다. 장치 시리즈는 고성능 및 저감도 수신기 설계를 위해 높은 응답성, 낮은 암전류 및 고대역폭을 제공합니다. 이 장치는 광 수신기, 트랜스폰더, 광 전송 모듈 및 조합 PIN 포토 다이오드(트랜스임피던스 증폭기) 제조업체에 이상적입니다.
더 읽어보기 문의 보내기

맞춤형 포토다이오드은 Box Optronics에서 구입할 수 있습니다. 전문 중국 포토다이오드 제조업체 및 공급업체 중 하나로서 우리는 고객이 더 나은 제품 솔루션을 제공하고 업계 비용을 최적화할 수 있도록 지원합니다. 중국산 포토다이오드은 품질이 높을 뿐만 아니라 저렴합니다. 저희 제품을 저렴한 가격에 도매하실 수 있습니다. 또한 대량 포장도 지원합니다. 우리의 가치는 "고객 제일, 서비스 제일, 신용 기초, 상생 협력"입니다. 자세한 내용은 공장 방문을 환영합니다. 더 나은 미래와 상호 이익을 만들기 위해 서로 협력합시다.

제품

광섬유 모듈

섬유 결합 레이저

레이저 부품

가스 감지 레이저 다이오드