50um InGaAs 애벌랜치 포토다이오드 APD는 900~1700nm 파장 범위 전반에 걸쳐 높은 반응성과 극도로 빠른 상승 및 하강 시간을 제공하는 상업적으로 이용 가능한 가장 큰 InGaAs APD이며, 1550nm의 피크 반응성은 eys-safe rangefinding 애플리케이션, 자유 공간 광통신, OTDR 및 광간섭 단층촬영. 칩은 수정된 TO 패키지로 밀봉되어 있으며 피그테일 옵션도 제공됩니다.
50um InGaAs 애벌랜치 포토다이오드 APD는 900~1700nm 파장 범위 전반에 걸쳐 높은 반응성과 극도로 빠른 상승 및 하강 시간을 제공하는 상업적으로 이용 가능한 가장 큰 InGaAs APD이며, 1550nm의 피크 반응성은 eys-safe rangefinding 애플리케이션, 자유 공간 광통신, OTDR 및 광간섭 단층촬영.
칩은 수정된 TO 패키지로 밀봉되어 있으며 피그테일 옵션도 제공됩니다.
50um InGaAs 애벌랜치 포토다이오드 APD는 900~1700nm 파장 범위 전반에 걸쳐 높은 반응성과 극도로 빠른 상승 및 하강 시간을 제공하는 상업적으로 이용 가능한 가장 큰 InGaAs APD이며, 1550nm의 피크 반응성은 eys-safe rangefinding 애플리케이션, 자유 공간 광통신, OTDR 및 광간섭 단층촬영.
칩은 수정된 TO 패키지로 밀봉되어 있으며 피그테일 옵션도 제공됩니다.
감지 범위 900nm-1700nm;
넓은 다이나믹 레인지;
높은 책임;
낮은 암전류;
표준 TO-46 패키지.
광센서;
여유 공간 광통신.
| 매개변수 | 상징 | 상태 | 최소 | 최대 | 단위 |
| PD 역전압 | VR | CW | - | 60 | V |
| 순방향 전류 | 만약 | CW | - | 3 | 엄마 |
| 작동 온도 | 맨 위 | 케이스 온도 | -40 | +85 | ℃ |
| 보관 온도 | TSTG | 주위 온도 | -40 | +85 | ℃ |
| 납 납땜 온도/시간 | Ts | - | - | 260/10 | â „ƒ/S |
| 매개변수 | 상징 | 상태 | 최소 | 일반 | 최대 | 단위 |
| 파장 범위 | λ | 900 | - | 1700 | nm | |
| 활동 영역 | φ | - | - | 50 | - | 음 |
| 책임 | 답장 | M=1,λ=1310nm | 0.85 | - | - | A/W |
| 곱셈 인자 | M | VR=VBR-3, λ=1310nm, φe=1uW | 10 | - | - | - |
| 암전류 | ID | VR=VBR-3, φe=0 | - | - | 10 | 해당 없음 |
| 역 항복 전압 | VBR | ID=10μA, φe=0 | 40 | 43 | 45 | V |
| -3dBm 대역폭 | 흑백 | M=10, RL= 50Δ | 2.0 | - | - | GHz |
| 정전 용량 | C | M=10, φe=0 | - | - | 0.5 | PF |
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A: 0.3mm 0.5mm 1mm 활성 영역 눈사태 광다이오드가 있습니다.
Q: 커넥터에 대한 요구 사항은 무엇입니까?A: Box Optronics는 요구 사항에 따라 사용자 정의할 수 있습니다.
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