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500um TO CAN InGaAs 눈사태 포토다이오드 APD

500um TO CAN InGaAs 애벌랜치 포토다이오드 APD는 1100~1650nm 파장 범위에 걸쳐 높은 응답성과 매우 빠른 상승 및 하강 시간을 가진 상용 InGaAs APD 중 최대 규모이며, 1550nm에서의 피크 응답성은 눈에 안전한 거리 측정 애플리케이션, 자유 공간 광학에 이상적입니다. 통신, OTDR 및 Optical Coherence Tomography. 이 칩은 수정된 TO 패키지에 밀봉되어 있으며 중계 커넥터 옵션도 사용할 수 있습니다.

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제품 설명

1. 500um TO CAN InGaAs Avalanche 포토다이오드 APD 요약

500um TO CAN InGaAs 애벌랜치 포토다이오드 APD는 1100~1650nm 파장 범위에 걸쳐 높은 응답성과 매우 빠른 상승 및 하강 시간을 가진 상용 InGaAs APD 중 최대 규모이며, 1550nm에서의 피크 응답성은 눈에 안전한 거리 측정 애플리케이션, 자유 공간 광학에 이상적입니다. 통신, OTDR 및 광학 일관성 단층 촬영.
칩은 수정된 TO 패키지에 밀봉되어 있으며 피그테일 옵션도 사용할 수 있습니다.

2. 500um TO CAN InGaAs 애벌랜치 포토다이오드 APD 도입

3. 500um TO CAN InGaAs Avalanche 포토다이오드 APD의 특징

감지 범위 1100nm-1650nm;

넓은 다이나믹 레인지;

높은 책임감;

낮은 암전류;

표준 TO-46 패키지.

4. 500um TO CAN InGaAs 애벌랜치 포토다이오드 APD 적용

광학 센서;

자유 공간 광통신.

5. 절대 최대 정격 500um TO CAN InGaAs 눈사태 포토다이오드 APD

모수	상징	상태	최소	최대	단위
PD 역전압	VR	CW	-	VBR	V
순방향 전류	만약에	CW	-	10	엄마
역전류	IR	CW	-	10	엄마
작동 온도	맨 위	케이스 온도	-40	+85	℃
보관 온도	TSTG	주변 온도	-40	+85	℃
납 납땜 온도/시간	TS	-	-	260/10	â/S

5. 500um TO CAN InGaAs 애벌랜치 포토다이오드 APD의 전기광학적 특성(T=25...)

모수	상징	상태	최소	일반적으로	최대	단위
파장 범위	λ		1100	-	1650	nm
활성 영역	φ	-	-	500	-	음
책임	답장	M=1, Δ=1550nm	0.80	-	-	A/W
곱셈 계수	M	VR=VBR-4, Δ=1550nm,Ïe=1uW	10	-	-	-
암전류	ID	VR=VBR-4, Ïe=0	-	60	200	nA
역 항복 전압	VBR	ID=10μA, Ïe=0	40	-	55	V
대역폭	흑백	-3dB 포인트, M=10, RL=50Ω	-	2.5	-	GHz
정전 용량	C	M=10, Ïe=0, f=1MHz	-	8	-	PF