200um InGaAs 애벌랜치 포토다이오드 APD는 1100~1650nm 파장 범위 전체에서 높은 응답성과 매우 빠른 상승 및 하강 시간을 가진 가장 큰 상용 InGaAs APD입니다. OTDR 및 Optical Coherence Tomography. 이 칩은 수정된 TO 패키지에 밀봉되어 있으며 피그테일 옵션도 사용할 수 있습니다.
200um InGaAs 애벌랜치 포토다이오드 APD는 1100~1650nm 파장 범위 전체에서 높은 응답성과 매우 빠른 상승 및 하강 시간을 가진 가장 큰 상용 InGaAs APD입니다. OTDR 및 광학 간섭 단층 촬영.
칩은 수정된 TO 패키지에 밀봉되어 있으며 피그테일 옵션도 사용할 수 있습니다.
200um InGaAs 애벌랜치 포토다이오드 APD는 1100~1650nm 파장 범위 전체에서 높은 응답성과 매우 빠른 상승 및 하강 시간을 가진 가장 큰 상용 InGaAs APD입니다. OTDR 및 광학 간섭 단층 촬영.
칩은 수정된 TO 패키지에 밀봉되어 있으며 피그테일 옵션도 사용할 수 있습니다.
감지 범위 1100nm-1650nm;
넓은 다이나믹 레인지;
높은 책임감;
낮은 암전류;
표준 TO-46 패키지.
광학 센서;
자유 공간 광통신.
| 모수 | 상징 | 상태 | 최소 | 최대 | 단위 |
| PD 역전압 | VR | CW | - | VBR | V |
| 순방향 전류 | 만약에 | CW | - | 10 | 엄마 |
| 역전류 | IR | CW | - | 10 | 엄마 |
| 작동 온도 | 맨 위 | 케이스 온도 | -40 | +85 | ℃ |
| 보관 온도 | TSTG | 주변 온도 | -40 | +85 | ℃ |
| 납 납땜 온도/시간 | TS | - | - | 260/10 | â/S |
| 모수 | 상징 | 상태 | 최소 | 일반적으로 | 최대 | 단위 |
| 파장 범위 | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
| 활성 영역 | φ | - | - | 200 | - | 음 |
| 책임 | 답장 | M=1, Δ=1550nm | 0.80 | - | - | A/W |
| 곱셈 계수 | M | VR=VBR-3, Δ=1550nm,Ïe=1uW | 10 | - | - | - |
| 암전류 | ID | VR=VBR-3, Ïe=0 | - | - | 35 | nA |
| 역 항복 전압 | VBR | ID=10μA, Ïe=0 | 40 | - | 55 | V |
| 대역폭 | 흑백 | -3dB 포인트, M=10, RL=50Ω | - | 1.25 | - | GHz |
| 정전 용량 | C | M=10, Ïe=0, f=1MHz | - | - | 2 | PF |
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A: 우리는 0.3mm 0.5mm 1mm 활성 영역 눈사태 포토다이오드가 있습니다.
Q: 커넥터에 대한 요구 사항은 무엇입니까?A: Box Optronics는 요구 사항에 따라 맞춤화할 수 있습니다.
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